IGBT/FRD芯片设计助理工程师 15-25k·14薪
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王女士 5小时前在线
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职位介绍
  • MOSFET/IGBT
岗位要求： 本科及以上学历， 5年以上半导体行业工作经验； 微电子、集成电路、电子科学与技术等相关理工科专业； 熟悉功率半导体器件（MOSFET/IGBT）原理； 有功率器件芯片前道流片工艺经验（工艺整合工程师）；而有IGBT芯片设计经验或IGBT流片经验者优先； 良好的数据分析及总结能力，良好的英文阅读能力
其他信息
语言要求：英语
行业要求：电子/半导体/集成电路

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